盖茨后悔让谷歌推出了安卓，WP是怎么被玩死的？

近年来，盖茨歌推这种利用机器学习预测新材料的方法越来越受到研究者的青睐。

当ORR电位超过1.05 V时，后悔-O-O-带的振动强度迅速增加。这些结果表明，让谷一种独特的Pt=N2=FeABA催化剂在实际运行中保持了令人满意的催化活性，在工业ORR中具有巨大的应用前景。

此外，安卓这种Pt=N2=FeABA基ZAB可以通过机械充电稳定工作，并且只需要补充消耗的锌负极和电解液。值得注意的是，被玩Pt=N2=FeABA的H2O2产率低于1.5%，对4电子ORR具有较高的选择性。经过三个充电周期后，盖茨歌推输出电压没有明显的下降(图5f)。

在Pt=N2=FeABA上实现了快速的O-O键断裂，后悔实现了高效的4电子ORR过程。让谷统计分析结果表明Pt与Fe之间的原子距离约为2.83-2.91 Å。

图2a所示的线性扫描伏安(LSV)曲线明显表明，安卓与参比催化剂相比，Pt=N2 =FeABA具有更优异的性能。

基于所合成催化剂中大致相等的活性位点数目，被玩Pt=N2=FeABA催化性能的提高主要归因于形成的Pt-N-Fe双位点。盖茨歌推外来Zn2+在(d)ZSBASEI和(e)Zn(002)表面吸收位点的结合能。

(e)静置10小时后，后悔ZSB@Zn|NVO电池在5Ag−1的自放电。另外，让谷ZSB@Zn电池具有超过5700小时的长沉积/剥离循环寿命。

这项工作由北京大学潘锋教授和暨南大学李宏岩教授和王子奇教授完成，安卓以题目为：安卓InSituGrowthofaMetal−OrganicFramework-BasedSolidElectrolyteInterphaseforHighlyReversibleZnAnodes，发表在ACSEenrgyLett.上。   2.在锌负极表面形成人工固体电解质界面层其方法简单且有效，被玩其ASEI是在室温条件下将刻蚀后的锌片浸泡在含MOF前驱体的溶液中即可在锌表面原位形成。